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存储器单元及其形成方法.pdfVIP

存储器单元及其形成方法.pdf

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    本发明公开一种存储器单元及其形成方法，其中该存储器单元包含一第一导电线、一底电极、一纳米碳管层、一中间电极、一电阻层、一顶电极以及一第二导电线。第一导电线设置于一基底上。底电极设置于第一导电线上。纳米碳管层设置于底电极上。中间电极设置于纳米碳管层上，因而底电极、纳米碳管层以及中间电极构成一纳米管存储器部分。电阻层设置于中间电极上。顶电极设置于电阻层上，因而中间电极、电阻层以及顶电极构成一电阻存储器部分。第二导电线设置于顶电极上。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN112086556A

    (43)申请公布日

    2020.12.15

    (21)申请号20191

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