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本发明公开了一种氧化铟薄膜的制备方法及应用，涉及半导体材料的制备技术领域。该方法包括：制备氧化铟前驱体溶液、清洗衬底、制备金属氧化物材料、预烤并采用脉冲紫外线辅助热退火装置在低温200℃条件下进行脉冲紫外线辅助热退火的步骤。对比传统热退火工艺，本发明通过对脉冲紫外线辅助热退火方法的时间及温度的控制，获得高性能金属氧化物材料，将其应用于薄膜晶体管等器件领域，对提高新一代电子器件的电气性能和稳定性有显著优势。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117711919A
(43)申请公布日2024.03.15
(21)申请号202410164742.1
(22)申请日2024.02.05
(71)申请人山东科技大学
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