1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 高等教育
  5. 专业基础教材

第七讲硅的深刻蚀技术.docx

第七讲硅的深刻蚀技术.docx

    1. 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
    2. 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
    3. 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
    查看更多

    硅的深刻蚀技术

    硅RIE刻蚀的根本原理

    含有F,Cl,Br，I单质或者化合物气体均可以作为硅的刻蚀剂，

    添加一些关心气体有助于提高它的选择性，

    常用刻蚀剂组合如：CF4/O2, CF2CL2, CF3CL,

    2SF6/O2/CL，CCL4,NF3,CCL4,CHF3等

    2

    不管上述哪一种化合物作为刻蚀剂，在等离子体中都会存在大量的卤素原子，它们以化学吸附方式与硅表面结合，在没有外力作用的状况下，反响生成的产物分别的速率很慢，特别是Cl,Br,I原子更是如此，构成了Si与其它活性成份进一步接触的障碍，但是，当它们得到电子之后，就会与Si

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    写作定制、方案定制 + 关注
    官方认证
    服务提供商

    专注地铁、铁路、市政领域安全管理资料的定制、修改及润色，本人已有7年专业领域工作经验，可承接安全方案、安全培训、安全交底、贯标外审、公路一级达标审核及安全生产许可证延期资料编制等工作，欢迎大家咨询~

    咨询作者（266人已咨询） 已休息
    认证主体天津济桓信息咨询有限公司
    IP属地天津
    统一社会信用代码/组织机构代码
    91120102MADGE3QQ8D

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >