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本发明提供了一种多功能二维滑移铁电复合元件及其制备方法和应用。该复合元件由下至上依次为基底材料、Si层、SiO2层、底层导电层、铁电介质层和顶层导电层；所述铁电介质层为偶数层ε‑InSe，其厚度为6.4~52.8nm。该复合元件通过沉积法和干法转移逐层制备，最大程度保留材料本征的性质，实现了对各层材料厚度及层数的精准控制。该复合元件以偶数层ε‑InSe为铁电介质层，无需外加偏压仅利用面外自发极化加速光生载流子的分离；此外，利用ε‑InSe中可切换的自发极化调节肖特基势垒高度形成多种非易失性电阻状
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727827A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202410173709.5
(22)申请日2024.02.07
(71)申请人湖南大学
地址410082
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