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本发明提供一种基板处理方法、半导体装置的制造方法、存储介质以及基板处理装置，能够在基板的凹部内形成具有所需的厚度分布的膜。具有：(a)对处理室内的基板供给含有预定元素和卤素元素的第一气体的工序；(b)从处理室内除去第一气体的工序；(c)通过进行第一预定次数的包含(a)和(b)的循环，在基板上形成含有预定元素且表面为卤素封端的第一层的工序；(d)通过对形成有第一层的基板供给含有预定元素的第二气体，在基板上形成含有预定元素的第二层的工序；以及(e)通过进行第二预定次数的包含(c)和(d)的循环，在基
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727623A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202310869553.X
(22)申请日2023.07.17
(30)优先权数据
2022-147959202
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