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具有分段浮置区的硅控整流器.pdfVIP

具有分段浮置区的硅控整流器.pdf

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    本发明涉及具有分段浮置区的硅控整流器，提供用于硅控整流器的结构以及形成用于硅控整流器的结构的方法。该结构包括位于半导体衬底中的第一阱、第二阱，以及第三阱。该第三阱设置于该第一阱与该第二阱间。第一端子包括位于该第一阱中的第一掺杂区，且第二端子包括位于该第二阱中的第二掺杂区。该第一阱、该第二阱，以及该第二掺杂区具有第一导电类型，且该第三阱及该第一掺杂区具有与该第一导电类型相反的第二导电类型。该结构还包括位于该第三阱中的第三掺杂区。该第三掺杂区包括第一片段及第二片段，且该第一片段通过该第一阱的部分及该

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117727752A

    (43)申请公布日2024.03.19

    (21)申请号202311032977.7

    (22)申请日2023.08.16

    (30)优先权数据

    17/946,0892022

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