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基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法.pdfVIP

基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法.pdf

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    本发明公开了一种基于电极边缘生长二维材料的晶体管制备及极性调控方法，通过调整电极材料功函数和二维材料导电类型形成边缘接触的二维晶体管并调控其极性。以不同功函数的电极材料作为二维材料生长的起始点，引导二维材料在晶圆上精确位置的选择性生长，实现晶圆范围尺度的、高迁移率二维晶体管的阵列制备；电极边缘与二维材料的接触区域即为源漏接触区域，通过不同功函数的电极材料诱导，实现不同输运极性的晶体管的制备。本发明解决了高取向二维材料薄膜制备困难、薄膜尺寸受限制、晶体管极性调控困难等问题，实现了半导体二维材料与电

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117727635A

    (43)申请公布日2024.03.19

    (21)申请号202311745708.5

    (22)申请日2023.12.18

    (71)申请人北京大学

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