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2024-03-20 发布于四川
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本申请公开了一种稳压二极管及其制作方法，该方法包括：在外延层上形成薄膜层，外延层形成于衬底上；刻蚀去除除第一目标区域以外其它区域的薄膜层，剩余的薄膜层形成隔离结构，隔离结构用于在进行离子注入时进行阻挡；在隔离结构的一侧的第二目标区域进行离子注入形成第一重掺杂区；在隔离结构的另一侧的第三目标区域进行离子注入形成第二重掺杂区，第一重掺杂区和第二重掺杂区中包含的杂质类型不同，第一重掺杂区和所述外延层中包含的杂质类型相同。本申请通过在用于形成第一重掺杂区的第二目标区域和用于形成第二重掺杂区的第三目标区域

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN113611606A

(43)申请公布日2021.11.05

(21)申请号202110856310.3

(22)申请日2021.07.28

(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司

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