半导体工艺-集成电路制造技术-答案-1-2单元.docVIP

第一单元习题

以直拉法拉制掺硼硅锭，切割后获硅片，在晶锭顶端切下的硅片，硼浓度为3×1015atoms/cm3。当熔料的90％已拉出，剩下10％开始生长时，所对应的晶锭上的该位置处切下的硅片，硼浓度是多少?

已知：C0B=3×1015atoms/cm3；kB=0.35；由得：

硅熔料中硼的初始浓度为：

C0l=C0B/kB=3×1015/0.35≈8.57×1015atoms/cm3

由得：

剩下10％熔料时，此处晶锭的硼浓度为：

C90%B=kBC0l×0.1kB-1=0.35×8.57×1015×0.10.35-1=

硅熔料含0.1％原子百分比的磷，假定溶液总是均匀的，计算当晶体拉出10％，50％，90％时的掺杂浓度。

已知：硅晶体原子密度为：5×1022atoms/cm3,含0.1％原子百分比的磷,熔料中磷浓度为：

C0p=5×1022×0.1％=5×1019atoms/cm3；kp=0.8

由计算得：

C10%p=kPC0p×0.9kp-1=0.8×5×1019×0.9-0.2=4.09×1019atoms/cm3

C50%p=0.8×5×1019×0.5-0.2=4.59×1019atoms/cm3

C90%p=0.8×5×1019×0.1-0.2=6.34×1019atoms/cm3

比较硅单晶锭CZ、MCZ和FZ三种生