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本发明涉及激光二极管的技术领域，公开了一种高电子迁移率晶体管的外延结构及其制备方法，所述高电子迁移率晶体管的外延结构包括衬底，依次在所述衬底上层叠设置的缓冲层、阻挡层、沟道层、AlN插入层、势垒层、帽层，所述阻挡层包含元素掺杂氮化物层、二维石墨烯层，所述元素掺杂氮化物层为交替层叠结构，所述元素掺杂氮化物层包含交替排布的Mg掺杂氮化物子层和C掺杂氮化物子层。实施本发明，可以减少位错密度，提升制备的外延薄膜的晶体质量，增强对沟道层电子的阻挡能力，减少缓冲层的漏电流，提高二维电子气的迁移率，抑制电流崩
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117727782A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202410160463.8
(22)申请日2024.02.05
(71)申请人江西兆驰半导体有
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