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一种倒装芯片及其制作方法.pdfVIP

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  • 2024-03-20 发布于四川
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一种倒装芯片及其制作方法.pdf

    本发明涉及半导体技术领域，具体公开了一种倒装芯片，其中，包括：衬底，所述衬底上依次设置第一导电类型氮化镓层、量子阱层和第二导电类型氮化镓层，所述第二导电类型氮化镓层上设置反射层，所述反射层上设置互联电极层，所述互联电极层与所述第一导电类型氮化镓层连接，所述互联电极层上设置焊盘电极层。本发明还公开了一种倒装芯片的制作方法。本发明提供的倒装芯片解决了现有技术中的电流分布不均和金属层吸光的难题。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN110828625A

    (43)申请公布日

    2020.02.21

    (21)申请号20191

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