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一种用于形成存储器阵列的方法包括形成包括竖直交替的绝缘层级及导电层级的堆叠。存储器单元串的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。导电通孔形成在个别所述沟道材料串上方且个别电耦合到个别所述沟道材料串。绝缘材料横向地在紧邻的所述导电通孔之间。至少一些所述绝缘材料被竖直移除，以形成周向围绕多个所述导电通孔的向上打开的空隙空间。绝缘材料横向形成在所述紧邻的导电通孔之间，以从所述向上打开的空隙空间形成覆盖的空隙空间。数字线形成在其下方的多个个别所述导电通孔上方且个别电耦合到多个个别所述导电通孔。公
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117730633A
(43)申请公布日2024.03.19
(21)申请号202280052905.6(74)专利代理机构北京律盟知识产权代理有限
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