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电子科技大学二零九至二零一零学年第一学期期末考试
半导体物理课程考试题B卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2010年元月18
日
课程成绩构成：平时10分，期中5分，实验15分，期末70分
复核人
一二三四五六七八九十合计
签名
得分
签名
得分
一、填空题:（共16分，每空1分）
1.简并半导体一般是重掺杂半导体，这时电离杂质对载流子的散射作
用不可忽略。
2.处在饱和电离区的N型Si半导体在温度升高后，电子迁移率会下降/减小，
电阻率会上升/增大。
3.电子陷阱存在于P/空穴型半导体中。
4.随温度的增加，P型半导体的霍尔系数的符号由正变为负。
5.在半导体中同时掺入施主杂质和受主杂质，它们具有杂质补偿的作用，
在制造各种半导体器件时，往往利用这种作用改变半导体的导电性能。
6.ZnO是一种宽禁带半导体，真空制备过程中通常会导致材料缺氧形成氧空位，
存在氧空位的ZnO半导体为N/电子型半导体。
7.相对Si而言，InSb是制作霍尔器件的较好材料，是因为其电子迁移率较高
/大。
8.掺金工艺通常用于制造高频器件。金掺入半导体Si中是一种深能级
杂质，通常起复合中心的作用，使得载流子寿命减小。
9.有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过回旋共振实验来
测量。
10.某N型Si半导体的功函数W是4.3eV，金属Al的功函数W是4.2eV，该
Sm
半导体和金属接触时的界面将会形成反阻挡层接触/欧姆接触。
11.有效复合中心的能级位置靠近禁带中心能级/本征费米能级/E。
i
12.MIS结构中半导体表面处于临界强反型时，表面少子浓度等于内部多子浓度，
表面反型少子的导电能力已经足够强，称此时金属板上所加电压为开启电
压/阈值电压。
13.金属和n型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正向偏压于金属，则半导体
表面电子势垒高度将降低，空间电荷区宽度将相应地（减少/变窄/变薄）。
得分
二、选择题（共15分，每题1分）
1.如果对半导体进行重掺杂，会出现的现象是D。
A.禁带变宽
B.少子迁移率增大
C.多子浓度减小
D.简并化
2.已知室温下Si的本征载流子浓度为n1.51010cm3。处于稳态的某掺杂Si
i
半导体中电子浓度n1.51015cm3，空穴浓度为p1.51012cm3
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