原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种对不同离子掺杂浓度半导体氧化硅层的高选择性蚀刻，液按照重量份计算，包括如下组分：49wt％的氢氟酸溶液1‑10份；40wt％的氟化铵溶液2‑20份；溶剂50‑90份；掩蔽剂1‑10份；增稠剂0.1‑5份。本发明还公开了上述蚀刻液的制备方法和用途。本发明的蚀刻液可选择性蚀刻P型氧化物，获得膜层厚度相近的氧化物层。掩蔽剂为带正电的亲电试剂，可选择性结合N型氧化物的自由电子，苯分子环绕形成了空间位阻，且其表面被F原子覆盖，形成疏水疏油层，阻止氢氟酸与表面Si‑O键结合，从而抑制了N型氧化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117736739A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311495524.8
(22)申请日2023.11.10
(71)申请人浙江奥首材料科技有限公司
地址
文档评论（0）