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公开了一种用于非易失性存储器装置的数据擦除的方法。该存储器包括多个存储器单元串，每个串包括串联连接的选择栅晶体管和多个存储器单元。所述方法包括向一个存储器单元串施加步进擦除电压进行擦除操作，该步进擦除电压具有步进升高形状的电压波形。所述方法还包括：在步进擦除电压从中间电平升高到峰值电平的时间段期间，将该选择栅晶体管的电压从起始电平升高到峰值电平，以及将预定区域的电压从起始电平升高到峰值电平，从而在一个存储器单元串中产生栅极诱发的漏极泄露电流。该预定区域与所述至少一个选择栅晶体管相邻并且包括至少一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117742570A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202211266664.3
(22)申请日2022.10.17
(30)优先权数据
17/950,9312022
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