一种薄外延层氮化镓高电子迁移率晶体管材料的外延方法.pdfVIP

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2024-03-23 发布于四川
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一种薄外延层氮化镓高电子迁移率晶体管材料的外延方法.pdf

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本申请公开了一种薄外延层氮化镓高电子迁移率晶体管材料的外延方法，首先采用氨气脉冲与Al源流量调制的方法生长AlN，在反应腔通氨气时，通高流量三甲基铝，降低V/III比，改善氮化铝质量；反应腔不通氨气时，通低流量三甲基铝，增加Al原子迁移距离，改善氮化铝质量和表面形貌；其次在氮化镓生长初期，通过工艺调控使氮化镓呈现三维岛状生长模式，并对其退火，促进氮化镓岛间合并，湮灭晶格缺陷，释放失配应力，之后生长氮化镓平铺层，并再次退火，促使氮化镓进一步合并，转为(准)二维生长模式，最后生长沟道层和势垒层，获得

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117747413A

(43)申请公布日2024.03.22

(21)申请号202311748608.8C30B29/40(2006.01)

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