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本发明提供了一种检测PECVD设备气体管路堵塞的方法，包括：根据待要沉积薄膜的厚度，将待要沉积薄膜预计分为N次沉积，N为大于1的正整数；使用待检测的PECVD设备依次进行N次薄膜的沉积，每次沉积之前均通过气体管路排放一定时间的反应气体；量测多次沉积后的实际薄膜的厚度之和；计算实际薄膜的厚度之和与待要沉积薄膜的厚度的差值是否在阈值内，如果不是，则认为PECVD设备的气体管路出现了堵塞，如果是，则认为PECVD设备的气体管路没有被堵塞。本发明可以检测PECVD设备的气体管路是否出现堵塞。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117737710A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311607685.1
(22)申请日2023.11.28
(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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