原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种硅片OISF缺陷的光致发光检测方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：利用光致发光成像技术用高强度照明激发半导体中的载流子，载流子会通过不同的渠道进行复合，辐射复合产生光子的发射‑PL。第二步：从硅片中发出的光致发光效应的光的强度与对应位置的非平衡少数载流子的密度成正比，而硅片中存在缺陷的地方会成为少数载流子的强复合中心，在图像上表现出来就成为暗色的点、线，或一定的区域。第三步：在硅片内复合较少的区域则表现为比较亮的区域，反映在缺陷分布图像上便会出现清晰的亮点，通过缺
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747458A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311634285.X
(22)申请日2023.12.01
(71)申请人杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
地
文档评论（0）