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本发明涉及半导体制造技术领域,特别涉及一种发光二极管,其包括外延结构和第一绝缘保护层,外延结构包括自下向上依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层,外延结构具有台面,台面是指第一半导体层的未被发光层所覆盖到的上表面,第一绝缘保护层覆盖发光层的外侧壁和至少部分第二半导体层的外侧壁,且位于台面之上。借此,可以借助第一绝缘保护层保护外延结构,避免ICP蚀刻损伤到外延结构,有效避免外延结构的光效下降,进而保证发光二极管的出光性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117747728A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202211124949.3
(22)申请日2022.09.15
(71)申请人湖北三安光电有限公司
地址43
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