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本发明涉及半导体检测领域，公开一种硅通孔芯片的缺陷检测方法，包括步骤：S10：以包含两组及两组以上的硅通孔的芯片作为检测对象；S20：基于红外图像采集对所述检测对象进行特征提取，得到温度场数据；S30：建立缺陷标签，对温度场数据进行标签分类标识；S40：将分类标识后的温度场数据分为训练集和测试集；S50：对训练集进行预处理操作，然后转换为点云数据集；S60：构建优化的卷积神经网络模型，对点云数据集进行缺陷训练，输出结果；S70：输入所述测试集对所述卷积神经网络模型进行测试，检验训练效果；本申请通
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117746166A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202410184859.6G06V10/44(2022.01)
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