单晶硅的生产控制方法、装置、电子设备及存储介质.pdfVIP

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2024-03-23 发布于四川
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单晶硅的生产控制方法、装置、电子设备及存储介质.pdf

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本申请实施例提供了一种单晶硅的生产控制方法、装置、电子设备及存储介质，属于半导体技术领域。其中方法包括：获取坩埚内直径值；对待测单晶硅进行直径校准，获取偏差值；根据所述偏差值获取偏差百分比；判断所述偏差百分比是否小于偏差阈值；若所述偏差百分比小于所述偏差阈值，则获取晶棒直径值；根据所述晶棒直径值和所述坩埚内直径值计算埚升补偿值；根据所述偏差百分比计算埚升偏差补偿值；根据所述埚升补偿值和所述埚升偏差补偿值在预设测量时间内对坩埚进行高度调整。通过所提供的单晶硅的生产控制方法，根据晶棒直径值对坩埚的高

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117737834A

(43)申请公布日2024.03.22

(21)申请号202410137276.8

(22)申请日2024.01.31

(71)申请人甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司

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