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本发明涉及电子特气的制备方法,尤其涉及甲基三氯硅烷的提纯方法,其包括以下步骤:(S.1)将吸附填料置于精馏塔中;(S.2)将工业级甲基三氯硅烷与硅胶颗粒置于精馏罐中,搅拌使得甲基三氯硅烷与硅胶颗充分接触,从而完成一级吸附;(S.3)对精馏罐内部物料进行加热,使得甲基三氯硅烷蒸汽进入到精馏塔中并与吸附填料充分接触,从而完成二级吸附;(S.4)收集从精馏塔中的馏分,得到电子级高纯甲基三氯硅烷。本申请中通过多种方案联用,能够有效去除甲基三氯硅烷中的杂质,尤其针对通过传统的精馏手段难以去除的硼化合物、磷
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117736235A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311750939.5
(22)申请日2023.12.19
(71)申请人大连科利德光电子材料有限公司
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