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2024-03-23 发布于四川
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本发明公开了一种电路制备方法、导电薄膜以及半导体器件。制备方法包括如下步骤：在具有粘附金属膜层的基片上制备导体薄膜层；在导体薄膜层上制备图形化的掩膜层；对具有掩膜层的导体薄膜层进行第一电镀处理形成电镀膜层，再进行干燥处理；在电镀膜层上进行第二电镀处理形成第一保护膜层；去除掩膜层，对裸露的导体薄膜层进行第一蚀刻处理；对第一蚀刻处理后裸露的部分粘附金属膜层与第一保护膜层进行第三电镀处理形成第二保护膜层；对第二保护膜层粗化处理以去除该部分第二保护膜层；对粗化处理后的裸露的部分粘附金属膜层进行第二蚀刻处

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117747441A

(43)申请公布日2024.03.22

(21)申请号202311699927.4

(22)申请日2023.12.08

(71)申请人通威太阳能（成都

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