原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明涉及一种双次曝光方法，包括以下步骤：提供第一掩模版和第二掩模版，两个掩模版均包括图形区域和非图形区域，且非图形区域对应设置第一定位标记和第二定位标记；使用第一掩模版对晶圆进行第一次曝光，使晶圆表面的至少一个待曝光区域内形成第一掩膜图形；使用第二掩模版对晶圆进行第二次曝光，每次曝光前均对第二定位标记与第一定位标记进行位置匹配，使晶圆表面形成与第一掩膜图形重叠或拼接的第二掩膜图形。本发明在不改变曝光机台结构的基础上，解决了掩模版放置台的开口限制以及单次曝光掩膜图形的精度限制，同时，通过定位标记
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117742087A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202410126448.1
(22)申请日2024.01.30
(71)申请人物元半导体技术（青岛）有限公司
地
文档评论（0）