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一种单粒子效应敏感性测试的方法.pdfVIP

一种单粒子效应敏感性测试的方法.pdf

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    本发明公开了一种单粒子效应敏感性测试的方法，包括：对SiCMOSFET样品器件进行单粒子辐照试验；对辐照后的所述样品器件进行1/f噪声测试，得到电流功率谱密度与频率关系；根据所述电流功率谱密度与频率关系得到样品器件的内部缺陷密度，基于内部缺陷密度得到单粒子效应敏感性。本发明利用低频噪声分析单粒子效应的敏感性，解决SiCMOSFET单粒子效应辐照试验后电学参数退化不明显以及不准确的问题。

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117741376A

    (43)申请公布日2024.03.22

    (21)申请号202311499252.9

    (22)申请日2023.11.10

    (71)申请人湘潭大学

    地址411100

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