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本发明涉及一种去除碳纳米管表面共轭聚合物材料的方法，属于纳米管表面分子去除技术领域，该方法包括：对表面具有共轭聚合物材料的碳纳米管在保护气氛下进行退火处理，使得制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，以去除部分共轭聚合物材料；采用溶剂对经过退火处理的碳纳米管进行旋转冲洗；对经过冲洗的碳纳米管在保护气氛下再次进行退火处理。本申请提供的方法，能够保证制备碳纳米管过程中共轭聚合物材料的主链与碳纳米管之间形成的碳碳双键断裂，从而达到去除碳纳米管表面的共轭聚合物材料效果；可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117735533A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311743199.2
(22)申请日2023.12.18
(71)申请人苏州烯晶半导体科技有限公司
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