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- 2024-03-23 发布于四川
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本发明公开了一种可稳定极化的铁电‑介电薄膜及其制备方法。所述可稳定极化的铁电‑介电薄膜包括基底层、以及在基底层上依次生长的底电极和功能层;所述功能层是基于所述底电极层生长的第一SrTiO3介电层‑PbZrTiO3铁电层‑第二SrTiO3介电层薄膜。本发明通过在铁电层PbZrTiO3上层和下层中插入介电层SrTiO3沉积的方式,使得制备的铁电‑介电薄膜具有可稳定极化的铁电性能,有望使其应用于航天器电子元件等应用领域。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117737661A
(43)申请公布日2024.03.22
(21)申请号202311740669.X
(22)申请日2023.12.15
(71)申请人广州先进技术研究所
地址5
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