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2024-03-24 发布于四川
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一种垂直结构TiN增强型4H-SiC基宽谱光电探测器及制备方法.pdf

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本发明属于半导体光电探测器领域，公开了一种垂直结构TiN增强型4H‑SiC基宽谱光电探测器及制备方法，包括：自上而下依次设置的顶电极层、TiN‑NCCs层、半导体层、Al2O3层和底电极层，所述顶电极层为半透明金属电极，TiN‑NCCs层为TiN纳米凹凸结构，半导体层为4H‑SiC基底，底电极层为不透光金属电极。本发明在4H‑SiC半导体层两侧分别设置顶电极和底电极，形成了垂直结构的光电探测器，而且通过在4H‑SiC半导体层与顶电极层的界面处引入TiN纳米颗粒，增加了器件在宽谱范围内的亮电流，此

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN115000230A

(43)申请公布日2022.09.02

(21)申请号202210662844.7H01L31/0224(2006.01)

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