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本公开涉及半导体器件。半导体器件包括:半导体芯片,具有前金属层,前金属层具有在前金属层上方延伸的表面钝化部,其中前金属层包括第一区域和第二区域;其中第一区域处的前金属层上方的表面钝化部的完全去除设置第一钝化开口,第一钝化开口暴露第一区域处的前金属层;接触层,用于与电晶片分选探针接触,接触层被定位在第一钝化开口中,与第一区域处的前金属层接触;以及其中第二区域处的前金属层上方的表面钝化部的部分去除设置第二钝化开口,第二钝化开口不暴露第二区域处的前金属层。本公开的实施例有利地不涉及专用探针卡,并且可以
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号CN220652015U
(45)授权公告日2024.03.22
(21)申请号202321998898.7H01L21/60(2006.01)
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