新一代信息技术：半导体射频电源行业专题报告.doc

新一代信息技术：半导体射频电源行业专题报告

1半导体射频电源：刻蚀+CVD工艺的核心，技术壁垒高

1.1射频电源：半导体工艺控制的核心，半导体零部件国产化最难关卡

什么是射频电源？是用来产生射频电功率的电源。核心作用—通过产生高频电磁场，将在低压或常压下的气体进行电离、从而形成等离子体。由于不同气体产生的等离子体具有不同的化学性能，从而在腔体内部实现不同的工艺需求。下游应用：射频电源被广泛应用于半导体工艺设备、LED与太阳能光伏产业、科学研究、射频感应加热、医疗美容、常压等离子体消毒清洗等领域。工作频率一般处于2MHz至60MHz之间。

射频电源由五部分组成：输入电路、功率放大电路、阻抗匹配网络、信号检测电路和控制电路。其中，功率放大和阻抗匹配是技术突破的重难点。①输入电路：包括直流供电电源模块+振荡电路模块，作用分别为供电和发出信号源。核心作用：决定电源最终输出的频率和波形，进而影响系统稳定性。②功率放大电路：射频电源的核心，是制约射频电源发展的关键因素。由几个固态晶体管组成。核心作用：振荡电路产生的信号源功率难以达到设备用电要求，故须进行功率放大，从而使功率达到输出要求，其性能决定了电源系统整体性能。③阻抗匹配网络：射频传输的效率关键在于阻抗匹配，其目的是保证信号或能量能有效从“信号源”传送到“负载”。其主要功能是实时跟踪负载阻抗变化，保障射频电源和负载之间一种处于抗阻匹配状态。核心作用：使得射频功率源输出的功率能被负载全部吸收，从而提高系统的频率和稳定性能。④信号检测电路：用于检测射频电源负载的电压电流信号，并传输给控制电路。⑤控制电路：由脉冲信号发生器和调制驱动电路组成。主要作用：是调制电源的信号输出，使机器持续稳定工作，实现对射频电源输出功率的控制。在电路中，功率变化过程为：低频交流电（50Hz/60Hz）—直流电—高频交流电（2MHz或以上）。

核心技术壁垒：主要在于电源波形、频率和功率性，以及在腔体中激发的等离子体浓度、均匀度的精准控制。国内外技术差距主要体现在以下3个方面：①阻抗的高速匹配。现代工艺中各步骤之间的转换可能导致功率、气体流量和压力迅速改变，使等离子体阻抗的急剧变化，对频率调谐的灵活性和速度提出了更高要求。一方面需要更快的数据处理能力；另一方面需要完善数据的收集、处理和传输系统，为机器学习等算法构建数据库进行分析和预测、客户个性化定制。以AE为例，其电源发生器和匹配网络（PowerInsight）可用于收集信息，分析速度和精度的，且无需外部传感器。目前我国仍以手动调节阻抗匹配器为主，易受环境影响，需研制高精度、高速度高精度、高速度的阻抗自动匹配器。②多频率电源的提供。海外供应的电源系统通常使用sourceRF和biasRF两个甚至多个电源，可相对独立控制等离子体密度和离子能量，实现更高的蚀刻速率、更大的工艺自由度，提高良率水平。我国射频电源种类较为单一，宽频带电源、微波电源、高功率射频电源的研发成果尚未普及于生产领域。③与芯片制造同步革新功能。以刻蚀工艺为例，其对射频电源的要求不仅包括控制精度、功率范围、效率、响应速度等，还需要电源系统配和新功能，如调频、扫频、相位调整、脉冲和电弧管理等。射频电源厂需要与下游设备厂同步革新、研发适配功能。

1.2应用领域：产生等离子体的核心，作用于半导体CVD、刻蚀等多道工艺

射频电源是半导体中薄膜沉积、刻蚀、离子注入、清洗等前道工艺机台的关键零部件之一。射频电源是等离子体发生器配套电源，主要用于在低压或常压气氛中产生等离子体，其直接关系到腔体中的等离子体浓度、均匀度和稳定度。

1.2.1薄膜沉积CVD中的应用：薄膜沉积质量、沉积速率的关键

CVD薄膜沉积：是在低气压下辉光放电使反应气体电离，再通入工艺气体，经一系列化学反应和等离子体反应在基片上表面形成固态薄膜。

射频电源的作用：解离气体产生等离子体。薄膜沉积一般在真空腔中进行，腔内放置平行且间距若干英寸的托盘。硅片置于托盘上，上电极施加RF功率。当原气体流过气体主机和沉积中部时会产生等离子体，多余的气体通过下面电极的周围排出。射频功率越大离子轰击能量越大，有利于沉积膜质量的改善。功率增加可增强气体中自由基浓度，提高沉积速率，当功率增加到一定程度，反应气体完全电离，自由基达到饱和，沉积速率则趋于稳定。

目前PECVD主要应用双频电源，由400kHz和13.56MHz构成，两个电源最高功率均为3000W。相比于单一电源，高频和低频相结合的双频驱动可以显著地降低启辉电压，更有利于获得稳定的等离子体源，减弱带电粒子对沉积衬底的轰击及红外芯片的损伤，提