高端装备制造：半导体刻蚀机行业专题报告.doc

高端装备制造：半导体刻蚀机行业专题报告

（报告出品方/作者：东海证券，方霁）

1.半导体制造工艺发展不断对刻蚀行业提出挑战

1.1.刻蚀是半导体加工的核心环节之一

（1）半导体加工是指在一个晶圆上完整构造多层集成电路（IntegratedCircuit，IC）的过程。通过一系列特定的工艺，晶体管、二极管、电容器、电阻器等一系列元器件被按照一定的电路互联并集成在半导体晶片上，封装在一个外壳里，使之能够执行特定功能，这也就是人们常说的芯片。一般来说，集成电路上可容纳的元器件数目越多，芯片性能就越好。一个先进的集成电路器件通常包含几十层的复杂微观结构，加工时需要一层一层地建造，总计可以达到数百至上千个步骤，复杂的结构和步骤需求对半导体加工设备的成功率提出了极高的要求。

（2）薄膜沉积、光刻和刻蚀是半导体制造的三大核心工艺。薄膜沉积工艺系在晶圆上沉积一层待处理的薄膜，匀胶工艺系把光刻胶涂抹在薄膜上，光刻和显影工艺系把光罩上的图形转移到光刻胶，刻蚀工艺是把光刻胶上图形转移到薄膜，去除光刻胶后，即完成图形从光罩到晶圆的转移。一片晶圆的制造需要数十层光罩，通过不断循环这三个步骤，所有光罩表面的图形被逐层转移到晶圆上，使其具备所需要的结构和功能，由此可用于后续封装测试。在每一层的加工过程中，刻蚀工艺、被刻蚀的材料、以及操作深度等都可能有所不同。

1.2.刻蚀工艺方法多样，多种技术路线并行

（1）刻蚀设备是半导体器件加工的上游核心环节之一，上游零组件逐步国产化，下游晶圆扩产逐步带动国产设备技术进步与占有率提升。1）刻蚀机产业链的上游为各类零件及系统的生产供应商，主要分为预真空室、刻蚀腔体、供气系统、真空系统四大部分，各个环节均涉及一定的核心零部件。目前国内已有多家厂商涉足相关核心零件的生产，未来有望实现全方位的国产替代。2）产业链下游则为半导体器件生产厂商，根据其经营模式可分为Fabless模式下的晶圆制造商，及垂直整合模式下的制造商。前者受芯片设计厂商的委托，提供晶圆制造服务，如台积电、中芯国际等。后者则独立完成集成电路设计、晶圆制造、封测等全部环节，只有如英特尔、三星等少数大型企业采取此模式。

（2）当前，干法刻蚀占据市场规模的90%左右，在图形转移中占据主导地位，湿法刻蚀独具成本优势，二者各有用途、长期并存。刻蚀技术可分为干法等离子刻蚀与湿法化学浴刻蚀两大类。1）干法刻蚀通常是通过等离子体或高能离子束对晶圆表面进行轰击，包括化学性的等离子刻蚀、物理性的溅射刻蚀、以及物理化学性的反应离子刻蚀。干法刻蚀能实现各向异性刻蚀，保证细小图形转移后的高保真性，因此一个完整的干法处理流程通常是器件设计者的首要选择。2）湿法刻蚀则通过化学试剂与晶圆的接触进行腐蚀，在集成电路的加工中对小于3μm的尺寸难以精确控制刻蚀的形貌，会对设定的线宽造成影响，但湿法刻蚀在成本、速度等方面更具优势，常用于特殊材料层的去除和残留物的清洗。湿法刻蚀还可以用于制造光学器件和MEMS（微机电系统）等领域。

（3）根据被刻蚀的材料不同，刻蚀工艺又可分为介质刻蚀、硅刻蚀和金属刻蚀。在晶圆加工的流程中，不同的材料被应用于不同部位。对一片晶圆的加工同时涉及到针对多种材料的刻蚀工艺。对刻蚀设备的选择需要对材料及加工目的进行综合考虑。

在当前的应用中，电容性等离子刻蚀CCP与电感性等离子刻蚀ICP是最常见的刻蚀技术，在不同材料领域都有所覆盖。

CCP：能量高、精度低，常用于介质材料刻蚀，诸如逻辑芯片的栅侧墙、硬掩膜刻蚀、中段的接触孔刻蚀、后端的镶嵌式和铝垫刻蚀等，以及3D闪存芯片工艺（氮化硅/氧化硅）的深槽、深孔和连线接触孔的刻蚀等。

ICP：能量低、精度高，主要用于硅刻蚀和金属刻蚀，如硅浅槽隔离（STI）、锗（Ge）、多晶硅栅结构、金属栅结构、应变硅（Strained-Si）、金属导线、金属焊垫（Pad）、镶嵌式刻蚀金属硬掩模和多重成像技术中的多道刻蚀工艺。

（4）在等离子刻蚀的基础上，业内新热点原子层刻蚀（AtomicLayerEtching，ALE）在先进制程中应用场景广阔，有望成为未来趋势。ALE是一种新的刻蚀工艺技术，能够将刻蚀精确到一个原子层（0.4nm），要求刻蚀过程均匀地、逐个原子层地进行，并停止在适当的时间或位置。其优点在于刻蚀选择性极高，且可以将对晶圆表面的损伤控制到最小。ALE可能的应用范围非常广泛，包括要求对硅表面零损坏的界面氧化物刻蚀及鳍状栅（FinFET）相关刻蚀，要求去除极少量材料的鳍结构和浅槽隔离（STI）结构的修正，要求零残留物的侧墙式多次成像工艺中的刻蚀等。以FinFET为例，随着行业从10nm向7nmFinFET发展，鳍片之间的