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——工艺集成;MEMS技术开展的趋势;内容;1、中电集团13所——硅溶片工艺;2、中电集团13所——正面体硅工艺;3、北京大学——体硅压阻加工工艺;3、北京大学——体硅压阻加工工艺;3、北京大学——体硅压阻加工工艺;3、北京大学——体硅压阻加工工艺;3、北京大学——体硅压阻加工工艺;3、北京大学——体硅压阻加工工艺;3、北京大学——体硅压阻加工工艺;4、北京大学——深刻蚀与键合组合工艺技术;4、北京大学——深刻蚀与键合组合工艺;4、北京大学——深刻蚀与键合组合工艺;4、北京大学——深刻蚀与键合组合工艺;4、北京大学——深刻蚀与键合组合工艺;5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺;5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺;5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺;5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺;5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺;5、西北工业大学—基于SOI硅片的工艺;6、MUMPS工艺;MUMPS工艺特点;长氮化硅
长0层Poly－Si;一次光刻
RIE去除多余0层Poly－Si;LPCVD淀积二氧化硅
二次光刻，DRIE形成凹点
;三次光刻，DRIE形成锚点
LPCVD淀积1层Poly-Si,淀积PSG，退火;四次光刻1层Poly－Si，DRIE
淀积二氧化硅;五次光刻，DRIE
六次光刻，DRIE;淀积Poly－Si，PSG，退火
七次光刻，DRIE;八次光刻，剥离，湿法去除光刻胶和金属
HF释放结构
;7、SandiaSUMMIT工艺;SandiaSUMMIT工艺;0层多晶硅;1层二氧化硅
1层多晶硅;2层氧化硅
2层多晶硅;3层氧化硅
3层多晶硅;SandiaSUMMIT工艺;DMD微镜;DMD微镜;DMD微镜;SCREAM工艺;Sealed-cavityDRIE工艺;多MEMS器件及MEMS器件与IC的集成加工技术：
实现微系统多功能、高性能和低本钱的根底。;MEMS与IC集成;存在的问题;工艺比较;集成方案比较;集成方案及代表;CMOSfirst;CMOSfirst;MEMSfirst;微加工技术开展趋势;非硅加工技术：
金属材料、聚合物材料、陶瓷材料等的微加工技术及其与硅基微加工技术的兼容性；
基于柔性衬底的微加工技术。;需重点考虑剩余应力问题;实例;密封腔制备工艺;锥尖制备工艺;;隧道式加速度传感器;麦克风;总结
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