原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明公开了一种高导电高强的高熵合金薄膜及其制备方法，属于金属表面改性领域。其中，高熵合金薄膜由Ti、Al、Cr、Si、Cu这五种元素构成，按原子百分比计，高熵合金薄膜的具体成分如下：30％～40％的钛、30％～40％的铝、15％～35％的铬、3％～10％的硅和5％～20％的铜，制备步骤包括基体表面进行表面预处理、合金靶材的制备及通过阴极电弧离子镀的方式制备高熵合金薄膜。本发明制备的高熵合金薄膜成分、厚度和硬度可控，与基底结合效果良好，表面致密，厚度为1.6～2.0μm，具有较高的硬度和较低的电
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117758127A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311854563.2
(22)申请日2023.12.29
(71)申请人广州今泰科技股份有限公司
地址
文档评论（0）