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一种半导体存储器的晶体管结构及制作方法.pdf

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    本发明提供一种半导体存储器的晶体管结构及制作方法，该结构包括：具有有源区及沟渠绝缘结构的半导体衬底，有源区具有第一接触区与第二接触区，半导体衬底在预定列方向设有贯穿有源区与沟渠绝缘结构的沟槽，沟槽在有源区区段具有第一深度，在沟渠绝缘结构区段具有第二深度，第一深度不同于第二深度且不超过沟渠绝缘结构的深度；埋设于沟槽中的沟槽导线，沟槽包括位于有源区区段底部的微沟渠结构，微沟渠结构包括相对于有源区的区段底部再凹入的沟渠，再凹入沟渠在平行于沟槽长度延伸方向的截面为弯曲延伸，沟槽导线更填入再凹入沟渠以形成

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN108717947A

    (43)申请公布日

    2018.10.30

    (21)申请号20181

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