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2024-03-27 发布于四川
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晶体管测试设备及其测试方法.pdf

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本发明提供了一种晶体管测试设备及其测试方法。本发明通过增设第三测试支路，采用第一测试支路在待测样品的漏电极到源电极之间加高压的同时，通过第三测试支路在待测样品的栅电极到源电极之间加负压以消耗其中的正离子，让产品充分闭合后，从而可以达到对待测试产品进行高压漏电电流测试项目的要求；且通过第三测试支路在待测样品的栅电极到源电极之间加负压，所获取的测试数据可以更好的判断产品的性能。进一步利用现有的低压设备中的电源引入高压设备中，以增加低压源提供负电压，并通过开关控制以使测试电压几乎完全同步的施加到待测样

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117761496A

(43)申请公布日2024.03.26

(21)申请号202410011281.4

(22)申请日2024.01.03

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

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