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一种半导体结构的制备方法包括：形成第一基底，所述第一基底包括第一衬底及设置在所述第一衬底内的沿第一方向及第二方向阵列排布的有源区，字线设置在所述第一基底内，所述字线沿所述第二方向延伸且至少覆盖所述有源区的相对两侧；在所述第一基底上形成电荷存储结构，所述电荷存储结构与所述有源区的第一端电连接；形成第二基底，所述第二基底包括第二衬底及设置在所述第二衬底内的位线，所述位线沿所述第一方向延伸；以所述第一基底背离所述电荷存储结构的第一表面及所述第二基底具有所述位线结构的第二表面作为连接面，将所述第一基底与
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117769243A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202211121602.3
(22)申请日2022.09.15
(71)申请人长鑫存储技术有限公司
地址23
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