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多波长LED外延结构、芯片及其制作方法.pdfVIP

多波长LED外延结构、芯片及其制作方法.pdf

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    本发明提供一种多波长LED外延结构、芯片及其制作方法，其中多波长LED外延结构包括：依次层叠的衬底、缓冲层和堆叠结构；所述堆叠结构包括：多个发光结构、非掺杂覆盖层和绝缘层，所述发光结构包括依次层叠的N型导电层、有源层和P型导电层，多个发光结构依次层叠于所述缓冲层远离衬底的一侧且N型导电层靠近所述缓冲层设置；所述非掺杂覆盖层和绝缘层层叠且设于相邻两个发光结构之间，所述非掺杂覆盖层靠近所述缓冲层设置，所述绝缘层远离所述缓冲层设置。具有晶体质量好的优点，实现高效多波长发光。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN111312870A

    (43)申请公布日

    2020.06.19

    (21)申请号20201

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