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本发明公开了一种能够抑制铜挤出的硅通孔及其制备方法，本发明使用磁控溅射在TSV底部沉积一定厚度的ZrW2‑xMoxO8薄膜，然后电镀一定厚度的铜后，重复上述步骤，在Cu中间沉积多层ZrW2‑xMoxO8薄膜；而ZrW2‑xMoxO8是一种具有负热膨胀系数的材料，热膨胀系数为‑4.3×10‑6至‑7.7×10‑6K‑1，这种材料在加热时收缩而不是膨胀，在硅通孔的热处理(例如退火)或温度循环期间，硅通孔中的Cu会膨胀，而ZrW2‑xMoxO8材料发生收缩而不是膨胀，可以部分抵消硅通孔组成材料之间的热
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117758217A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311672459.1H01L23/48(2006.01)
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