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半导体结构及其形成方法.pdf

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    一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底和凸出于衬底的鳍部，衬底包括P型逻辑区和上拉晶体管区；形成横跨鳍部的栅极层；形成掩膜侧墙，覆盖上拉晶体管区中的鳍部侧壁、以及P型逻辑区中的部分鳍部侧壁；以掩膜侧墙为掩膜去除栅极层两侧的部分厚度鳍部，形成由逻辑区的鳍部和掩膜侧墙围成的凹槽、以及沿垂直于鳍部侧壁方向贯穿上拉晶体管区的鳍部和掩膜侧墙的通槽；在凹槽和通槽中形成P型源漏掺杂层。凹槽侧壁的掩膜侧墙限制P型源漏掺杂层过度生长，通槽使P型逻辑区的P型源漏掺杂层具有较大的宽度尺寸，从而减小对

    (19)中华人民共和国国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN112151452A

    (43)申请公布日

    2020.12.29

    (21)申请号20191

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