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2024-03-27 发布于四川
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一种压力提高硒化锡半导体基于其体光伏效应的自驱动光电探测性能的方法.pdf

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本发明涉及高压调控功能材料光电性质技术领域，尤其涉及一种压力调控硒化锡半导体体光伏效应自驱动光电探测性能的方法。本发明提供的方法，包括利用金刚石对顶砧压机对金属垫片进行预压后，在得到的压痕中心进行打孔处理，得到带有样品腔的金属垫片；在所述金属垫片的压痕区表面制备氮化硼和环氧树脂混合物绝缘层，然后在样品腔中添加硒化锡样品，再在样品表面布置两条铂片，以所述两条铂片作为电极连接光电流测试系统后，用金刚石对顶砧压机对硒化锡样品进行加压，记录硒化锡样品对氙灯光源照射的光响应；所述两条铂片相互不交叉。该方法

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN117766630A

(43)申请公布日2024.03.26

(21)申请号202311802350.5

(22)申请日2023.12.25

(71)申请人吉林大学

地址130012

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