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本发明公开了一种基于p‑GaN埋层结构调控阈值的增强型n沟道GaN高电子迁移率晶体管，其结构依次包括：一衬底；一生长于衬底上的GaN缓冲层；一生长于GaN缓冲层上的uid‑GaN层；一生长于uid‑GaN层上的Mg掺杂p‑GaN埋层；一生长于p‑GaN埋层上的uid‑GaN沟道层；一生长于uid‑GaN沟道层上的AlGaN势垒层；一生长于AlGaN势垒层上的Mg掺杂p‑GaN栅层；栅电极设置在p‑GaN栅层上；源电极、漏电极设置在AlGaN势垒层上。本发明在外延阶段直接埋入了一层p‑GaN，无需
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766564A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311804347.7
(22)申请日2023.12.26
(71)申请人南京大学
地址210023
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