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铟镓砷晶圆及其制造方法、射频阵列芯片及其制造方法.pdfVIP

铟镓砷晶圆及其制造方法、射频阵列芯片及其制造方法.pdf

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    本申请提供一种铟镓砷晶圆及其制造方法，一种射频阵列芯片及其制造方法，方法包括：形成施主衬底，施主衬底包括依次层叠的第一衬底、吸收层、第一掺杂层和键合层，吸收层的材料为铟镓砷，第一掺杂层的材料为铟镓砷或磷化铟，第一衬底至少包括目标层，目标层的材料为磷化铟。形成受主衬底，受主衬底包括依次层叠的第一硅衬底、富陷阱层和绝缘层，富陷阱层为四族元素构成的非晶材料。以键合层朝向绝缘层的方向键合施主衬底和受主衬底，去除部分厚度的第一衬底，保留目标层，对目标层进行掺杂，得到第二掺杂层，形成铟镓砷晶圆。富陷阱层可以

    (19)国家知识产权局

    (12)发明专利申请

    (10)申请公布号CN117766461A

    (43)申请公布日2024.03.26

    (21)申请号202311805308.9

    (22)申请日2023.12.25

    (71)申请人广东省大湾区集成电路与系统应用

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