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本发明公开了一种倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器，制作方法包括：提供衬底，在衬底表面形成掩膜层；刻蚀掩膜层以在掩膜层上制备条形窗口；在条形窗口内依次生长n型覆盖层以及n型限制层，以形成n型脊型波导；在n型限制层表面生长外延结构；在外延结构上形成电流扩展层，并在电流扩展层表面形成p型电极；去除衬底，并在n型覆盖层表面形成n型电极。本发明的一种倒装脊型波导半导体激光器的制作方法及半导体激光器，无需刻蚀n型区即可完成对n型区的脊型波导的制备，提高激光器的发光性能的同时，还大大简化了半导
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117767109A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202311807746.9
(22)申请日2023.12.26
(71)申请人中国科学院苏州纳
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