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本发明提出了一种具有延伸漏结构的超结双SOI‑LDMOS器件及制造方法，该器件包括：位于第二埋氧层上的第二SOI层，包括半导体区和半导体延伸漏接触区；位于第一埋氧层上的第一SOI层，包括体接触区、源区、漏区以及漂移区；漏极金属，其中漏极金属的第一部分平行于器件纵向的一侧面与第一埋氧层接触，其下表面与半导体延伸漏接触区的上表面；漏极金属的第二部分与半导体漏区的上表面接触。本发明在器件导通时利用第二SOI层中交替排列的第一半导体区和第二半导体区和延伸漏结构，使得第一SOI层漂移区表面感应出多数载流子
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766588A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202410196269.5H01L21/336(2006.01)
(22)申请日2024.02
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