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2024-03-27 发布于四川
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半导体工艺设备及聚焦环的加工方法.pdf

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本申请实施例公开了一种半导体工艺设备及聚焦环的加工方法，用以解决现有技术无法消除晶圆边缘的刻蚀倾斜效应的问题。所述半导体工艺设备，包括工艺腔室以及位于所述工艺腔室内的基座，所述基座用于承载晶圆；所述基座上设置有聚焦环，在所述基座在承载所述晶圆时，所述聚焦环环绕于所述晶圆的外侧；所述聚焦环上开设有气流通道，所述气流通道用于将所述晶圆表面的工艺气体导出至所述基座的外侧，以调整所述晶圆边缘部分的气流场，抵消电磁场在所述边缘部分造成的刻蚀倾斜效应。该设备可有效消除晶圆加工过程中的边缘区域的刻蚀倾斜效应。

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN111968903A

(43)申请公布日2020.11.20

(21)申请号202010857031.4

(22)申请日2020.08.24

(71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司

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