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本发明公开了一种基于SOI衬底的锑化物CMOS器件及其制备方法，包括SOI衬底、n沟道锑化物外延层和p沟道锑化物外延层；所述SOI衬底包括从底部向上依次设置的底硅层、SiO2层和顶硅层，所述n沟道锑化物外延层和p沟道锑化物外延层分别独立生长在底硅层或顶硅层上，所述底硅层上的锑化物外延层的两侧均有SiO2层。本发明提供了一种具有更高迁移率Si基锑化物CMOS器件的制备方法，解决了Si材料载流子迁移率较低的问题，同时可以降低Si和锑化物之间由晶格失配、热失配以及反相畴等问题引起的位错密度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766548A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202410079212.7
(22)申请日2024.01.18
(71)申请人陕西科技大学
地址710021
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