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一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成基底，所述基底包括：衬底；栅极结构；源漏区；第一介质层；刻蚀所述栅极结构，在第一介质层内形成掩膜凹槽；在所述掩膜凹槽内形成盖层，所述盖层顶部与所述第一介质层齐平；以所述盖层为掩膜刻蚀所述第一介质层以形成源漏接触层。形成所述源漏接触层的过程中，所述盖层起到自对准掩膜的作用，所述盖层的形成，能够有效降低形成所述源漏接触层的难度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766392A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202211138590.5
(22)申请日2022.09.19
(71)申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限
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