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本发明提供一种MIM电容结构的制作方法，包括：提供半导体结构；形成覆盖上极板金属层的光阻层；执行主刻蚀步骤，刻蚀去除暴露出的预设厚度的介质层；主刻蚀完成后在半导体结构的表面残留有聚合物；清洗去除聚合物；执行过刻蚀步骤，将暴露出的剩余厚度的介质层刻蚀去除；低温灰化工艺去除光阻层。本发明将覆盖在半导体结构的表面的聚合物清除，并且主刻蚀步骤剩余厚度的介质层可以避免过多的F基气体接触下极板金属层产生更难去除的含F的聚合物。随后使用过刻蚀步骤将剩余厚度的介质层刻蚀干净。采用低温灰化工艺去除光阻层，防止聚合
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117766524A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202410132330.X
(22)申请日2024.01.30
(71)申请人上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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