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本发明提供了一种光阻图形的形成方法，包括：提供若干片晶圆和两枚光罩，依次将每片晶圆载入一曝光机中，曝光机中存储有两枚光罩的设定曝光能量以及每片晶圆对应的两枚光罩的曝光顺序；将先曝光的光罩载入曝光机中，执行第一曝光进程，根据先曝光的光罩的设定曝光能量对晶圆进行曝光；将先曝光的光罩替换为后曝光的光罩，并输入修正系数，获得后曝光的光罩的修正曝光能量；执行第二曝光进程，根据后曝光的光罩的修正曝光能量对晶圆进行曝光；执行烘烤工艺，以及执行显影工艺，以获得晶圆上形成的光阻图形。本发明改善曝光后因烘烤延迟导致
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN117761975A
(43)申请公布日2024.03.26
(21)申请号202410194519.1
(22)申请日2024.02.22
(71)申请人合肥晶合集成电路股份有限公司
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