《硅基厚金属膜电镀工艺技术规范》编制说明(1).docx

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《硅基厚金属膜电镀工艺技术规范》编制说明

一、工作简况，包括任务来源、制定背景（包括目的、意义）、起草单位、

起草过程说明等

1任务来源

根据中国国际科技促进会标准化工作委员会发布的《关于开展〈硅基厚金属膜电镀工艺技术规范〉团体标准立项的通知》（【2024】中科促标字0005号），本团体标准进行立

项，项目计划编号为CI2024005。项目承担单位为清华大学。

2制定背景

自摩尔定律提出以来，芯片上晶体管的数量呈指数级增长，但如今晶体管的尺寸逼近物理极限，这使得传统的微电子制造面临巨大挑战。而微机电系统（MEMS）技术的出现带来了新的解决方案。MEMS技术利用微纳加工工艺，将微型机械元件、传感器、执行器和微处理器集成在一个芯片上。这种集成性带来了巨大的创新潜力，使得各种微小系统可以在微观尺度上实现。由于其小型化、低成本和高性能的特点，MEMS已经被广泛应用于多个领

域。因此，MEMS技术也被认为是后摩尔时代的关键技术。

硅基厚金属膜制造工艺是MEMS和微电子工艺体系中的核心基础之一，用于加工金属微机械传感器与执行器、高性能互联结构和三维集成基板等MEMS器件、微系统关键组件与封装部件。金属具有较高电导率、低射频损耗、低接触电阻、可复杂成型、抗腐蚀等优势，硅基厚金属膜制造工艺是高性能微机械开关/继电器、惯性敏感单元、复杂微系统集成的

赋能技术之一，在航空航天、军事国防和民生健康领域有十分迫切的需求。

厚金属膜电镀工艺可以以叠加的形式形成厚金属膜的高精度成型，通过掩膜微结构成型、金属电镀、表面平整化、控制释放等通用性方法的组合及膜层关键性能工艺调控，实现结构性和功能性金属材料的多样化异质集成与三维复杂成型，弥补硅基结构平面化与特

性单一的不足，形成高性能MEMS器件。

国外以Metal-MUMPs(MetalMulti-UserMEMSProcesses)，Polystrata等为代表的厚金属膜制造工艺已相对成熟，与6英寸及以上标准硅基工艺线兼容，且大部分已进入商用阶段。国内厚金属膜工艺研究处于起步阶段，在2-4英寸硅片上实现了原理验证，面临

大面积、高精度、大厚度和兼容性核心挑战，亟需开展硅基厚金属膜制造工艺基础研究工

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作。

在此背景下，对厚金属膜电镀工艺的深入研究至关重要，需要对其提出一个相对全面的、规范的标准，以指导这一领域的发展和应用，推动硅基厚金属膜制造工艺的规范化和标准化发展。一个完善的标准将为全产品生命周期知识推理技术的发展提供指导和支持，有助于促进行业内各方的合作和交流。这不仅有助于提高MEMS产业的效率和质量，还为企业创造更多的竞争优势，推动中国半导体制造业朝着标准化、高效化的方向迈进，为解决

我国面临的“卡脖子”问题提供重要支撑。

3起草单位

清华大学、南方科技大学、东南大学、上海交通大学、航天704所、中电55所、启元

实验室等单位。

主要参与人员：

XXX…

4主要工作过程

4.1起草阶段

4.1.1成立标准制定工作组

2023年5月，清华大学牵头成立标准制定工作组。工作组主要成员有：清华大学、南方科技大学、东南大学、上海交通大学、航天704所、中电55所和启元实验室。清华大学负责技术框架制定、起草标准编写等，其他参与单位和人员负责标准完善、技术验证等工

作。

2024年1月4日，本标准成功立项。

4.1.2确定工作计划

2023年6月，清华大学作为项目承担单位，与项目参与单位进行了联系，成立了标准修订编制组编制组，初步拟定了标准编制的工作目标、工作内容，讨论了在标准制订过程

中可能遇到的问题，按照任务书的要求，确定了标准工作计划。

2023年11月，完成标准内容的起草。确定标准技术的主要工艺流程、工艺加工能力、

工艺保障条件要求、安全与环境操作环境要求等。

计划于2024年3月份完成标准进行意见征求、专家审查工作。根据征求的意见和专家

的审查意见对标准进行修改、完善。

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计划于2024年4月份获得标准的批准，进行标准的发布和推广工作。

4.1.3查询国内外相关标准和文献资料

硅基厚金属膜电镀工艺技术尚无国内外相关标准。标准制定工作组在编写过程中查询

参考了MEMS相关领域的国内外标准。

在标准编写过程中，参考了《GB/T1031-2009产品几何技术规范（GPS）表面结构

轮廓法表面粗糙度参数及其数值》、《GB/T26111-2010微机电系统（MEMS）技术术语》

中的标准术语；参考了《GB50073洁净厂房设计规范》中的工艺保障条件要求；参考了

《GB/T28275-2012硅基MEMS制造技术氢氧化钾腐蚀工艺规范》、《GB/T32814-2016

硅基MEMS制造技术基于SOI硅片的